薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法
2020-01-10

薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

本发明提供了一种半导体元件,即使其衬底受热收缩影响极大,例如其衬底为大尺寸衬底,该元件的工作也不受影响。此外,本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外,即使出现轻微的掩模版偏移时,半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些,形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域,该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外,形成对应于各个栅电极的源区和漏区,使得电流流过各个栅电板相应沟道区的方向相反。另外,电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

图13为使用根据本发明的半导体器件制作的发光显示器件的截面图。

根据本发明的另一个方面,薄膜晶体管包含多个形成在半导体层上的栅电极、与这些栅电极相对应的沟道区、以及形成在半导体层内与各个栅电极相对应的源区和漏区,所述源区和漏区包含一种导电类型的杂质元素。另外,该半导体层在漏侧与栅电极重叠的一部分处包含杂质浓度低于漏区的区域。此外,把电流流过其中一个沟道区的方向称为标准方向时,电流以标准方向流过的沟道区数目与电流以与标准方向相反的方向流过的沟道区数目相等。

图19A示出了诸如电视接收机的发光显示器件,该器件包含外壳2001、显示部分2003与扬声器部分2004。本发明应用于显示部分2003。根据本发明,在改善显示质量的同时可以提高产量。可以在像素部分提供起偏器或圆形起偏器以提高对比度。例如,在密封村底中,可以依次提供1/4入板薄膜、1/2入板薄膜、以及起偏薄膜。此外,可以在起偏器上提供抗反射膜。

根据本发明的另一个方面,提供了一种晶体管,该晶体管包含了具有第一半导体层、栅绝缘膜以及第一栅电极的笫一晶体管和具有第二半导体层、栅绝缘膜以及第二栅电极的第二晶体管。此外,第一栅电极和第二栅电极相互电连接,第一栅电极和第二栅电极均包含第一

图13为使用根据本发明的半导体器件制作的发光显示器件的截面图。

根据本发明的另一个方面,具有上述结构的晶体管含有第一部分,在该第一部分内,其中电流以第一方向流过的半导体层覆盖在第二层栅电极上。此外,该晶体管含有第二部分,在该第二部分内,其中电流以第二方向流过的半导体层覆盖在第二层栅电极上。多个该晶体管的第一部分在平行于衬底表面的平面内垂直于第一方向的总宽度等于多个该晶体管的第二部分在平行于衬底表面的平面内垂直于第二方向的总宽度。

随后,在接触孔内层叠置金属薄膜并将其图形化以形成源电极和漏电极。在本实施例中,分别形成具有三层结构的源电极或漏电极、或导线161至167,该三层结构是按钼、铝、钼的顺序在衬底上堆叠而成的。

上面描述了根据本发明的一种薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管105包含薄膜晶体管105a和薄膜晶体管105b。薄膜晶体管105与如图20A所示的相关技术薄膜晶体管具有几乎相同的性能(尽管图20A中薄膜晶体管205的沟道区218的宽度为图1A与lB中薄膜晶体管10Sa的沟道区122或薄膜晶体管105b的沟道区123的宽度的两倍,或者为它们的和)。

36因此TFT1404的Vg的轻微变化不会影响发光元件1405的电流值。也就是说,可以由工作于饱和区的TFT1403确定发光元件1405的电流值。因此,可以提供一种显示器件,其中通过改善由TFT性能变化引起的发光元件亮度变化,从而提高图像质量。